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이름 | 값 |
---|---|
제품 상태 | Active |
FET 유형 | N-Channel |
기술 | GaNFET (Gallium Nitride) |
드레인-소스 전압(vdss) | 80 V |
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c | 10A (Ta) |
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) | 5V |
rds on (max) @ id, vgs | 20mOhm @ 6A, 5V |
vgs(th) (최대) @ id | 2.5V @ 2mA |
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs | 2.2 nC @ 5 V |
vgs(최대) | +6V, -4V |
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds | 238 pF @ 40 V |
FET 기능 | - |
전력 소모(최대) | - |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
장착 유형 | Surface Mount |
공급업체 장치 패키지 | Die |
패키지 / 케이스 | Die |
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