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G06NP06S2

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N/P60V,RD(MAX)<35M@10V,RD(MAX)<4

compliant

G06NP06S2 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.91000 $0.91
500 $0.9009 $450.45
1000 $0.8918 $891.8
1500 $0.8827 $1324.05
2000 $0.8736 $1747.2
2500 $0.8645 $2161.25
Inventory changes frequently.
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N and P-Channel
FET 기능 Standard
드레인-소스 전압(vdss) 60V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 6A (Tc)
rds on (max) @ id, vgs 35mOhm @ 6A, 10V, 45mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 2.5V @ 250µA, 3.5V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 22nC @ 10V, 25nC @ 10V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds -
전력 - 최대 2W (Tc), 2.5W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급업체 장치 패키지 8-SOP
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