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G1002L

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N100V,RD(MAX)<250M@10V,VTH1.2V~2

G1002L 데이터 시트

compliant

G1002L 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.52000 $0.52
500 $0.5148 $257.4
1000 $0.5096 $509.6
1500 $0.5044 $756.6
2000 $0.4992 $998.4
2500 $0.494 $1235
3000 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 100 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 2A
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) -
rds on (max) @ id, vgs 250mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 2V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 10 nC @ 10 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 413 pF @ 50 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 1.3W
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 SOT-23-3L
패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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