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G15N10C

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N100V,RD(MAX)<110M@10V,RD(MAX)<1

G15N10C 데이터 시트

비준수

G15N10C 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.67000 $0.67
500 $0.6633 $331.65
1000 $0.6566 $656.6
1500 $0.6499 $974.85
2000 $0.6432 $1286.4
2500 $0.6365 $1591.25
2495 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 100 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 15A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs 110mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 3V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 22 nC @ 10 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds -
FET 기능 -
전력 소모(최대) 42W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 TO-252
패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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