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AUIRS2123STR

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IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC

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AUIRS2123STR 가격 및 주문

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제품 상태 Not For New Designs
구동 구성 High-Side
채널 유형 Single
운전자 수 1
게이트 유형 IGBT, N-Channel MOSFET
전압 - 공급 10V ~ 20V
논리 전압 - vil, vih -
전류 - 피크 출력(소스, 싱크) 500mA, 500mA
입력 유형 Non-Inverting
하이 사이드 전압 - 최대 (부트스트랩) 600 V
상승/하강 시간(일반) 80ns, 80ns
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급업체 장치 패키지 8-SOIC
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