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BSC091N03MSCGATMA1

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BSC091N03MSCGATMA1

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

비준수

BSC091N03MSCGATMA1 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.25000 $0.25
500 $0.2475 $123.75
1000 $0.245 $245
1500 $0.2425 $363.75
2000 $0.24 $480
2500 $0.2375 $593.75
24335 items
Bom 비용 다운
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모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
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이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 30 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 12A (Ta), 44A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs 9.1mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 2V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 20 nC @ 10 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 1500 pF @ 15 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 2.5W (Ta), 28W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 PG-TDSON-8-6
패키지 / 케이스 8-PowerTDFN
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