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BSC886N03LSGATMA1

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MOSFET N-CH 30V 13A/65A TDSON

compliant

BSC886N03LSGATMA1 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
5,000 $0.25334 -
10,000 $0.24396 -
25,000 $0.23884 -
8585 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Not For New Designs
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 30 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 13A (Ta), 65A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs 6mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 2.2V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 26 nC @ 10 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 2100 pF @ 15 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 2.5W (Ta), 39W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 PG-TDSON-8-1
패키지 / 케이스 8-PowerTDFN
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