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이름 | 값 |
---|---|
제품 상태 | Not For New Designs |
igbt 유형 | - |
구성 | Half Bridge |
전압 - 컬렉터 에미터 파괴 (최대) | 1200 V |
전류-수집기(ic) (최대) | 300 A |
전력 - 최대 | 1250 W |
vce(on) (최대) @ vge, ic | 2.6V @ 15V, 150A |
전류-수집기 차단(최대) | 5 mA |
입력 커패시턴스(cies) @ vce | 11 nF @ 25 V |
입력 | Standard |
ntc 서미스터 | No |
작동 온도 | -40°C ~ 125°C |
장착 유형 | Chassis Mount |
패키지 / 케이스 | Module |
공급업체 장치 패키지 | Module |
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