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BSM75GB170DN2HOSA1

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BSM75GB170DN2HOSA1

BSM75GB170DN2HOSA1

Infineon Technologies

IGBT MOD 1700V 110A 625W

BSM75GB170DN2HOSA1 데이터 시트

비준수

BSM75GB170DN2HOSA1 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $93.33000 $93.33
500 $92.3967 $46198.35
1000 $91.4634 $91463.4
1500 $90.5301 $135795.15
2000 $89.5968 $179193.6
2500 $88.6635 $221658.75
642 items
위시리스트에 추가
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름 값
제품 상태 Obsolete
igbt 유형 -
구성 Half Bridge
전압 - 컬렉터 에미터 파괴 (최대) 1700 V
전류-수집기(ic) (최대) 110 A
전력 - 최대 625 W
vce(on) (최대) @ vge, ic 3.9V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단(최대) -
입력 커패시턴스(cies) @ vce 11 nF @ 25 V
입력 Standard
ntc 서미스터 No
작동 온도 150°C (TJ)
장착 유형 Chassis Mount
패키지 / 케이스 Module
공급업체 장치 패키지 Module
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