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BSO615N

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MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC

BSO615N 데이터 시트

비준수

BSO615N 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.00000 $0
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1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
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Bom 비용 다운
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모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
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이름
제품 상태 Obsolete
FET 유형 2 N-Channel (Dual)
FET 기능 Logic Level Gate
드레인-소스 전압(vdss) 60V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 2.6A
rds on (max) @ id, vgs 150mOhm @ 2.6A, 4.5V
vgs(th) (최대) @ id 2V @ 20µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 20nC @ 10V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 380pF @ 25V
전력 - 최대 2W
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급업체 장치 패키지 PG-DSO-8
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