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BSS209PWH6327XTSA1

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MOSFET P-CH 20V 630MA SOT323-3

compliant

BSS209PWH6327XTSA1 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
3,000 $0.07208 -
6,000 $0.06334 -
15,000 $0.05459 -
30,000 $0.05168 -
75,000 $0.04876 -
150,000 $0.04293 -
1718 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 P-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 20 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 630mA (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 2.5V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs 550mOhm @ 630mA, 4.5V
vgs(th) (최대) @ id 1.2V @ 3.5µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 1.3 nC @ 4.5 V
vgs(최대) ±12V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 115 pF @ 15 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 300mW (Ta)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 PG-SOT323
패키지 / 케이스 SC-70, SOT-323
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