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BSZ086P03NS3GATMA1

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MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON

compliant

BSZ086P03NS3GATMA1 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
5,000 $0.31556 -
10,000 $0.30388 -
25,000 $0.29750 -
Inventory changes frequently.
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 P-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 30 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 13.5A (Ta), 40A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 6V, 10V
rds on (max) @ id, vgs 8.6mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 3.1V @ 105µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 57.5 nC @ 10 V
vgs(최대) ±25V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 4785 pF @ 15 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 2.1W (Ta), 69W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 PG-TSDSON-8
패키지 / 케이스 8-PowerTDFN
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