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BTS282ZE3180AATMA2

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MOSFET N-CH 49V 80A TO263-7

compliant

BTS282ZE3180AATMA2 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1,000 $2.97605 -
2,000 $2.82725 -
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Bom 비용 다운
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이름
제품 상태 Not For New Designs
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 49 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 80A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs 6.5mOhm @ 36A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 2V @ 240µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 232 nC @ 10 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 4800 pF @ 25 V
FET 기능 Temperature Sensing Diode
전력 소모(최대) 300W (Tc)
작동 온도 -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 PG-TO263-7-1
패키지 / 케이스 TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
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