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DF200R12KE3HOSA1

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DF200R12KE3HOSA1

DF200R12KE3HOSA1

Infineon Technologies

IGBT MODULE 1200V 1040W

DF200R12KE3HOSA1 데이터 시트

비준수

DF200R12KE3HOSA1 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
10 $94.13800 $941.38
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이름 값
제품 상태 Active
igbt 유형 -
구성 Single
전압 - 컬렉터 에미터 파괴 (최대) 1200 V
전류-수집기(ic) (최대) -
전력 - 최대 1040 W
vce(on) (최대) @ vge, ic 2.15V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단(최대) 5 mA
입력 커패시턴스(cies) @ vce 14 nF @ 25 V
입력 Standard
ntc 서미스터 No
작동 온도 -40°C ~ 125°C
장착 유형 Chassis Mount
패키지 / 케이스 Module
공급업체 장치 패키지 Module
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