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| 이름 | 값 |
|---|---|
| 제품 상태 | Last Time Buy |
| FET 유형 | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) |
| FET 기능 | Silicon Carbide (SiC) |
| 드레인-소스 전압(vdss) | 1200V (1.2kV) |
| 현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c | 25A (Tj) |
| rds on (max) @ id, vgs | 45mOhm @ 25A, 15V (Typ) |
| vgs(th) (최대) @ id | 5.55V @ 10mA |
| 게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs | 62nC @ 15V |
| 입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds | 1840pF @ 800V |
| 전력 - 최대 | 20mW (Tc) |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Chassis Mount |
| 패키지 / 케이스 | Module |
| 공급업체 장치 패키지 | AG-EASY1BM-2 |
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