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IAUC100N04S6L020ATMA1

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IAUC100N04S6L020ATMA1 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $1.29000 $1.29
500 $1.2771 $638.55
1000 $1.2642 $1264.2
1500 $1.2513 $1876.95
2000 $1.2384 $2476.8
2500 $1.2255 $3063.75
Inventory changes frequently.
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
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이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 40 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 100A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs 2.04mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 2V @ 32µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 46 nC @ 10 V
vgs(최대) ±16V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 2744 pF @ 25 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 75W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 PG-TDSON-8
패키지 / 케이스 8-PowerTDFN
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