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IGP01N120H2

IGP01N120H2

IGP01N120H2

POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN

비준수

IGP01N120H2 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.55000 $0.55
500 $0.5445 $272.25
1000 $0.539 $539
1500 $0.5335 $800.25
2000 $0.528 $1056
2500 $0.5225 $1306.25
13000 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
igbt 유형 -
전압 - 컬렉터 에미터 파괴 (최대) 1200 V
전류-수집기(ic) (최대) 3.2 A
전류-수집기 펄스(icm) 3.5 A
vce(on) (최대) @ vge, ic 2.8V @ 15V, 1A
전력 - 최대 28 W
에너지 전환 140µJ
입력 유형 Standard
게이트 요금 8.6 nC
td (켜짐/꺼짐) @ 25°c 13ns/370ns
테스트 조건 800V, 1A, 241Ohm, 15V
역방향 회복 시간(trr) -
작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Through Hole
패키지 / 케이스 TO-220-3
공급업체 장치 패키지 PG-TO220-3-1
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