IMBG65R072M1HXTMA1 Infineon Technologies ichome.com에서

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IMBG65R072M1HXTMA1

제조업체 부품 번호:IMBG65R072M1HXTMA1

제조업체:Infineon Technologies

설명:SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-

데이터 시트:IMBG65R072M1HXTMA1 데이터 시트

RoHs 상태:비준수

수량	단가	추가 가격
1	$13.25000	$13.25
500	$13.1175	$6558.75
1000	$12.985	$12985
1500	$12.8525	$19278.75
2000	$12.72	$25440
2500	$12.5875	$31468.75

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명세서
데이터 시트

이름	값
제품 상태	Active
FET 유형	-
기술	-
드레인-소스 전압(vdss)	-
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c	-
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)	-
rds on (max) @ id, vgs	-
vgs(th) (최대) @ id	-
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs	-
vgs(최대)	-
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds	-
FET 기능	-
전력 소모(최대)	-
작동 온도	-
장착 유형	-
공급업체 장치 패키지	-
패키지 / 케이스	-

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