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IMBG65R083M1HXTMA1

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IMBG65R083M1HXTMA1

IMBG65R083M1HXTMA1

Infineon Technologies

SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-

IMBG65R083M1HXTMA1 데이터 시트

compliant

IMBG65R083M1HXTMA1 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $11.93000 $11.93
500 $11.8107 $5905.35
1000 $11.6914 $11691.4
1500 $11.5721 $17358.15
2000 $11.4528 $22905.6
2500 $11.3335 $28333.75
Inventory changes frequently.
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Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름 값
제품 상태 Active
FET 유형 -
기술 -
드레인-소스 전압(vdss) -
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c -
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) -
rds on (max) @ id, vgs -
vgs(th) (최대) @ id -
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs -
vgs(최대) -
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds -
FET 기능 -
전력 소모(최대) -
작동 온도 -
장착 유형 -
공급업체 장치 패키지 -
패키지 / 케이스 -
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