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IMZ120R030M1HXKSA1

IMZ120R030M1HXKSA1

IMZ120R030M1HXKSA1

SICFET N-CH 1.2KV 56A TO247-4

compliant

IMZ120R030M1HXKSA1 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $30.40000 $30.4
500 $30.096 $15048
1000 $29.792 $29792
1500 $29.488 $44232
2000 $29.184 $58368
2500 $28.88 $72200
Inventory changes frequently.
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 SiCFET (Silicon Carbide)
드레인-소스 전압(vdss) 1200 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 56A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 15V, 18V
rds on (max) @ id, vgs 40mOhm @ 25A, 18V
vgs(th) (최대) @ id 5.7V @ 10mA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 63 nC @ 18 V
vgs(최대) +23V, -7V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 2120 pF @ 800 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 227W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형 Through Hole
공급업체 장치 패키지 PG-TO247-4-1
패키지 / 케이스 TO-247-4
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