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IPB180N10S402ATMA1

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MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7

비준수

IPB180N10S402ATMA1 가격 및 주문

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제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 100 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 180A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 10V
rds on (max) @ id, vgs 2.5mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 3.5V @ 275µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 200 nC @ 10 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 14600 pF @ 25 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 300W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 PG-TO263-7-3
패키지 / 케이스 TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
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