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IPB180P04P4L02ATMA1

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MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7

비준수

IPB180P04P4L02ATMA1 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1,000 $1.68892 -
2,000 $1.60447 -
5,000 $1.54415 -
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이름
제품 상태 Not For New Designs
FET 유형 P-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 40 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 180A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs 2.4mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 2.2V @ 410µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 286 nC @ 10 V
vgs(최대) ±16V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 18700 pF @ 25 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 150W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 PG-TO263-7-3
패키지 / 케이스 TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
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