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IPB60R165CPATMA1

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MOSFET N-CH 600V 21A TO263-3

compliant

IPB60R165CPATMA1 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1,000 $2.46785 -
2,000 $2.34446 -
2636 items
Bom 비용 다운
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모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
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이름
제품 상태 Not For New Designs
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 600 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 21A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 10V
rds on (max) @ id, vgs 165mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 3.5V @ 790µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 52 nC @ 10 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 2000 pF @ 100 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 192W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 PG-TO263-3-2
패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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