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IPB60R180P7ATMA1

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MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK

SOT-23

비준수

IPB60R180P7ATMA1 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1,000 $1.29913 -
2,000 $1.20954 -
5,000 $1.16474 -
0 items
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모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
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이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 600 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 18A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 10V
rds on (max) @ id, vgs 180mOhm @ 5.6A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 4V @ 280µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 25 nC @ 10 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 1081 pF @ 400 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 72W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 PG-TO263-3
패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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