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IPB60R380C6ATMA1

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MOSFET N-CH 600V 10.6A D2PAK

compliant

IPB60R380C6ATMA1 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1,000 $1.01075 -
2,000 $0.94105 -
5,000 $0.90619 -
10,000 $0.88718 -
Inventory changes frequently.
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Not For New Designs
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 600 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 10.6A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 10V
rds on (max) @ id, vgs 380mOhm @ 3.8A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 3.5V @ 320µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 32 nC @ 10 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 700 pF @ 100 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 83W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 PG-TO263-3
패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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