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IPB65R065C7ATMA1

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MOSFET N-CH 600V 7.3A D2PAK

compliant

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1,000 $4.64011 -
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이름
제품 상태 Discontinued at Digi-Key
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 600 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 7.3A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 10V
rds on (max) @ id, vgs 600mOhm @ 2.4A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 4.5V @ 200µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 12 nC @ 10 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 557 pF @ 100 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 171W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 PG-TO263-3
패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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