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IPB80N06S209ATMA1

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MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

compliant

IPB80N06S209ATMA1 가격 및 주문

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제품 상태 Discontinued at Digi-Key
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 55 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 80A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 10V
rds on (max) @ id, vgs 8.8mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 4V @ 125µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 80 nC @ 10 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 2360 pF @ 25 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 190W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 PG-TO263-3-2
패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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