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IPD042P03L3GBTMA1

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MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3

compliant

IPD042P03L3GBTMA1 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
2,500 $0.58065 -
5,000 $0.55162 -
Inventory changes frequently.
Bom 비용 다운
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모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
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이름
제품 상태 Discontinued at Digi-Key
FET 유형 P-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 30 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 70A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs 4.2mOhm @ 70A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 2V @ 270µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 175 nC @ 10 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 12400 pF @ 15 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 150W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 PG-TO252-3-11
패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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