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이름 | 값 |
---|---|
제품 상태 | Active |
FET 유형 | P-Channel |
기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
드레인-소스 전압(vdss) | 150 V |
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c | 1.7A (Ta), 9A (Tc) |
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) | 4.5V, 10V |
rds on (max) @ id, vgs | 420mOhm @ 8.2A, 10V |
vgs(th) (최대) @ id | 2V @ 1.04mA |
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs | 43 nC @ 10 V |
vgs(최대) | ±20V |
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds | 2100 pF @ 75 V |
FET 기능 | - |
전력 소모(최대) | 3W (Ta), 83W (Tc) |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
장착 유형 | Surface Mount |
공급업체 장치 패키지 | PG-TO252-3 |
패키지 / 케이스 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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