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IPD60R600P7ATMA1

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MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3

비준수

IPD60R600P7ATMA1 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
2,500 $0.64512 -
5,000 $0.61640 -
12,500 $0.59589 -
4995 items
Bom 비용 다운
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모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
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이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 650 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 6A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 10V
rds on (max) @ id, vgs 600mOhm @ 1.7A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 4V @ 80µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 9 nC @ 10 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 363 pF @ 400 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 30W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 PG-TO252-3
패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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