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IPD65R1K4CFDATMA1

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MOSFET N-CH 650V 2.8A TO252-3

compliant

IPD65R1K4CFDATMA1 가격 및 주문

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2,500 $0.45461 -
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이름
제품 상태 Not For New Designs
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 650 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 2.8A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 10V
rds on (max) @ id, vgs 1.4Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 4.5V @ 100µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 10 nC @ 10 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 262 pF @ 100 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 28.4W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 PG-TO252-3
패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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