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IPG20N10S4L35AATMA1

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MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON

compliant

IPG20N10S4L35AATMA1 가격 및 주문

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이름
제품 상태 Active
FET 유형 2 N-Channel (Dual)
FET 기능 Logic Level Gate
드레인-소스 전압(vdss) 100V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 20A
rds on (max) @ id, vgs 35mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 2.1V @ 16µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 17.4nC @ 10V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 1105pF @ 25V
전력 - 최대 43W
작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount, Wettable Flank
패키지 / 케이스 8-PowerVDFN
공급업체 장치 패키지 PG-TDSON-8-10
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