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IPI086N10N3GXKSA1

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MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3

compliant

IPI086N10N3GXKSA1 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $1.76000 $1.76
10 $1.57500 $15.75
100 $1.26220 $126.22
500 $0.99750 $498.75
1,000 $0.80501 -
Inventory changes frequently.
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 100 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 80A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 6V, 10V
rds on (max) @ id, vgs 8.6mOhm @ 73A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 3.5V @ 75µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 55 nC @ 10 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 3980 pF @ 50 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 125W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형 Through Hole
공급업체 장치 패키지 PG-TO262-3
패키지 / 케이스 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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