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IPI65R110CFDXKSA1

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MOSFET N-CH 650V 31.2A TO262-3

비준수

IPI65R110CFDXKSA1 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $2.55000 $2.55
500 $2.5245 $1262.25
1000 $2.499 $2499
1500 $2.4735 $3710.25
2000 $2.448 $4896
2500 $2.4225 $6056.25
16398 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Obsolete
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 650 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 31.2A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 10V
rds on (max) @ id, vgs 110mOhm @ 12.7A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 4.5V @ 1.3mA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 118 nC @ 10 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 3240 pF @ 100 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 277.8W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Through Hole
공급업체 장치 패키지 PG-TO262-3
패키지 / 케이스 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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