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IPI65R190C

IPI65R190C

IPI65R190C

N-CHANNEL POWER MOSFET

compliant

IPI65R190C 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $1.85000 $1.85
500 $1.8315 $915.75
1000 $1.813 $1813
1500 $1.7945 $2691.75
2000 $1.776 $3552
2500 $1.7575 $4393.75
500 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 650 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 20.2A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 10V
rds on (max) @ id, vgs 190mOhm @ 7.3A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 3.5V @ 730µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 73 nC @ 10 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 1620 pF @ 100 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 151W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Through Hole
공급업체 장치 패키지 PG-TO262-3-1
패키지 / 케이스 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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