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IPL65R660E6AUMA1

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MOSFET N-CH 650V 7A THIN-PAK

비준수

IPL65R660E6AUMA1 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
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이름
제품 상태 Obsolete
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 650 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 7A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 10V
rds on (max) @ id, vgs 660mOhm @ 2.1A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 3.5V @ 200µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 23 nC @ 10 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 440 pF @ 100 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 63W (Tc)
작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 PG-VSON-4
패키지 / 케이스 4-PowerTSFN
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