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IPN60R1K5CEATMA1

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IPN60R1K5CEATMA1

MOSFET N-CH 600V 5A SOT223

compliant

IPN60R1K5CEATMA1 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
3,000 $0.23839 -
6,000 $0.22455 -
15,000 $0.21072 -
30,000 $0.20103 -
Inventory changes frequently.
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 600 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 5A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 10V
rds on (max) @ id, vgs 1.5Ohm @ 1.1A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 3.5V @ 90µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 9.4 nC @ 10 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 200 pF @ 100 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 5W (Tc)
작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 PG-SOT223-3
패키지 / 케이스 TO-261-4, TO-261AA
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