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IPS60R210PFD7SAKMA1

IPS60R210PFD7SAKMA1

IPS60R210PFD7SAKMA1

MOSFET N-CH 650V 16A TO251-3

compliant

IPS60R210PFD7SAKMA1 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $2.39000 $2.39
500 $2.3661 $1183.05
1000 $2.3422 $2342.2
1500 $2.3183 $3477.45
2000 $2.2944 $4588.8
2500 $2.2705 $5676.25
308 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 650 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 16A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 10V
rds on (max) @ id, vgs 210mOhm @ 4.9A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 4.5V @ 240µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 23 nC @ 10 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 1015 pF @ 400 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 64W (Tc)
작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Through Hole
공급업체 장치 패키지 PG-TO251-3
패키지 / 케이스 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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