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IPSA70R1K4P7SAKMA1

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MOSFET N-CH 700V 4A TO251-3

비준수

IPSA70R1K4P7SAKMA1 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.74000 $0.74
10 $0.62500 $6.25
100 $0.46890 $46.89
500 $0.34388 $171.94
1,000 $0.26573 -
16500 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 700 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 4A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 10V
rds on (max) @ id, vgs 1.4Ohm @ 700mA, 10V
vgs(th) (최대) @ id 3.5V @ 40µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 4.7 nC @ 400 V
vgs(최대) ±16V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 158 pF @ 400 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 22.7W (Tc)
작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Through Hole
공급업체 장치 패키지 PG-TO251-3
패키지 / 케이스 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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