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IPT026N10N5ATMA1

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MOSFET N-CH 100V 27A/202A 8HSOF

compliant

IPT026N10N5ATMA1 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $6.26000 $6.26
500 $6.1974 $3098.7
1000 $6.1348 $6134.8
1500 $6.0722 $9108.3
2000 $6.0096 $12019.2
2500 $5.947 $14867.5
Inventory changes frequently.
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 100 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 27A (Ta), 202A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 6V, 10V
rds on (max) @ id, vgs 2.6mOhm @ 150A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 3.8V @ 158µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 120 nC @ 10 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 8800 pF @ 50 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 214W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 PG-HSOF-8-1
패키지 / 케이스 8-PowerSFN
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