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IPT60R065S7XTMA1

IPT60R065S7XTMA1

IPT60R065S7XTMA1

MOSFET N-CH 600V 8A 8HSOF

비준수

IPT60R065S7XTMA1 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $7.56000 $7.56
500 $7.4844 $3742.2
1000 $7.4088 $7408.8
1500 $7.3332 $10999.8
2000 $7.2576 $14515.2
2500 $7.182 $17955
0 items
Bom 비용 다운
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이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 600 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 8A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 12V
rds on (max) @ id, vgs 65mOhm @ 8A, 12V
vgs(th) (최대) @ id 4.5V @ 490µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 51 nC @ 12 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 1932 pF @ 300 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 167W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 PG-HSOF-8-2
패키지 / 케이스 8-PowerSFN
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