Welcome to ichome.com!

logo

IPT60R102G7XTMA1

IPT60R102G7XTMA1

IPT60R102G7XTMA1

MOSFET N-CH 650V 23A 8HSOF

비준수

IPT60R102G7XTMA1 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
2,000 $2.96185 -
909 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 650 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 23A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 10V
rds on (max) @ id, vgs 102mOhm @ 7.8A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 4V @ 390µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 34 nC @ 10 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 1320 pF @ 400 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 141W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 PG-HSOF-8-2
패키지 / 케이스 8-PowerSFN
PDF 로딩에 실패했습니다. 새 창에서 열어서 액세스해보세요. [열려 있는], 또는 클릭하여 돌아가세요

관련 부품 번호

R6003KND3TL1
FDS6612A
FDS6612A
$0 $/조각
FQA24N60
FQA24N60
$0 $/조각
IPB100N06S3-04
FQD11P06TM
FQD11P06TM
$0 $/조각
BSZ100N03LSGATMA1
IXTY8N70X2
IXTY8N70X2
$0 $/조각
IRFBE30PBF
IRFBE30PBF
$0 $/조각
DMN3033LSN-7
FCH077N65F-F155
FCH077N65F-F155
$0 $/조각

전자 분야에서 당신의 신뢰할 수 있는 파트너

귀하의 기대를 뛰어넘는 데 전념합니다. IChome: 전자 산업을 위해 재정의된 고객 서비스.