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이름 | 값 |
---|---|
제품 상태 | Active |
구동 구성 | High-Side |
채널 유형 | Single |
운전자 수 | 1 |
게이트 유형 | IGBT, N-Channel MOSFET |
전압 - 공급 | 10V ~ 20V |
논리 전압 - vil, vih | 6V, 9.5V |
전류 - 피크 출력(소스, 싱크) | 250mA, 500mA |
입력 유형 | Inverting |
하이 사이드 전압 - 최대 (부트스트랩) | 600 V |
상승/하강 시간(일반) | 80ns, 40ns |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
장착 유형 | Surface Mount |
패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
공급업체 장치 패키지 | 8-SOIC |
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