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IRF1902GPBF

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MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SO

비준수

IRF1902GPBF 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
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500 $0 $0
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모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
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이름
제품 상태 Obsolete
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 20 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 4.2A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) -
rds on (max) @ id, vgs 85mOhm @ 4A, 4.5V
vgs(th) (최대) @ id 700mV @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 7.5 nC @ 4.5 V
vgs(최대) -
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 310 pF @ 15 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) -
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 8-SO
패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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