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IRF5801TRPBF

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IRF5801TRPBF

MOSFET N-CH 200V 600MA MICRO6

compliant

IRF5801TRPBF 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
3,000 $0.20371 -
6,000 $0.19189 -
15,000 $0.18006 -
30,000 $0.17179 -
876 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 200 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 600mA (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 10V
rds on (max) @ id, vgs 2.2Ohm @ 360mA, 10V
vgs(th) (최대) @ id 5.5V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 3.9 nC @ 10 V
vgs(최대) ±30V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 88 pF @ 25 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 2W (Ta)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 Micro6™(TSOP-6)
패키지 / 케이스 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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