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IRF7779L2TR1PBF

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MOSFET N-CH 150V 375A DIRECTFET

비준수

IRF7779L2TR1PBF 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bom 비용 다운
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모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
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이름
제품 상태 Obsolete
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 150 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 375A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 10V
rds on (max) @ id, vgs 11mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 5V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 150 nC @ 10 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 6660 pF @ 25 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 3.3W (Ta), 125W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 DirectFET™ Isometric L8
패키지 / 케이스 DirectFET™ Isometric L8
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