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IRFH5010TR2PBF

IRFH5010TR2PBF

IRFH5010TR2PBF

MOSFET N-CH 100V 13A 5X6 PQFN

compliant

IRFH5010TR2PBF 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Obsolete
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 100 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 13A (Ta), 100A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) -
rds on (max) @ id, vgs 9mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 4V @ 150µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 98 nC @ 10 V
vgs(최대) -
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 4340 pF @ 25 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) -
작동 온도 -
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 8-PQFN (5x6)
패키지 / 케이스 8-PowerVDFN
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