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IRFH6200TR2PBF

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MOSFET N-CH 20V 100A 5X6 PQFN

비준수

IRFH6200TR2PBF 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
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이름
제품 상태 Obsolete
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 20 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 49A (Ta), 100A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) -
rds on (max) @ id, vgs 0.95mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 1.1V @ 150µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 230 nC @ 4.5 V
vgs(최대) -
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 10890 pF @ 10 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) -
작동 온도 -
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 8-PQFN (5x6)
패키지 / 케이스 8-PowerVDFN
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