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IRL530NSTRRPBF

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MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK

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제품 상태 Not For New Designs
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 100 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 17A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 4V, 10V
rds on (max) @ id, vgs 100mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 2V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 34 nC @ 5 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 800 pF @ 25 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 3.8W (Ta), 79W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 D2PAK
패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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