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SPI80N03S2L-06

SPI80N03S2L-06

SPI80N03S2L-06

MOSFET N-CH 30V 80A TO262-3

compliant

SPI80N03S2L-06 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bom 비용 다운
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모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
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이름
제품 상태 Discontinued at Digi-Key
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 30 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 80A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs 6.2mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 2V @ 80µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 68 nC @ 10 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 2530 pF @ 25 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 150W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형 Through Hole
공급업체 장치 패키지 PG-TO262-3-1
패키지 / 케이스 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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